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  • GaN氮化鎵(GaN)晶體基片

    GaN易與AlN││✘、InN等構成混晶◕☁↟·╃,能製成各種異質結構◕☁↟·╃,已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高◕☁↟·╃,有效地遮蔽了光學聲子散射││✘、電離雜質散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片₪☁☁。

    訪問次數↟·:929    產品價格↟·:面議    廠商性質↟·:生產廠家    更新日期↟·:2021-11-15

  • (MgAl2O4)進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片

    進口鎵酸鋰(LiGaO2)晶體基片

    訪問次數↟·:586    產品價格↟·:面議    廠商性質↟·:生產廠家    更新日期↟·:2021-11-15

  • (MgAl2O4)鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片

    鋁酸鋰(LiAlO2)晶體基片

    訪問次數↟·:705    產品價格↟·:面議    廠商性質↟·:生產廠家    更新日期↟·:2021-11-15

  • (MgAl2O4)鋁酸鎂(MgAl2O4)晶體基片

    鋁酸鎂(尖晶石)單晶廣泛應用於聲波和微波器件及快速IC外延基片₪☁☁。同時研究發現它是好的III-V族氮化物器件的襯底₪☁☁。MgAl2O4晶體由於很難維持它的單晶結構而難以生長◕☁↟·╃,經過幾年的努力◕☁↟·╃,目前科晶公司能夠提供世界上質量*尺寸的MgAl2O4晶體

    訪問次數↟·:1346    產品價格↟·:面議    廠商性質↟·:生產廠家    更新日期↟·:2021-11-15

  • AL2O3晶棒

    AL2O3晶棒

    訪問次數↟·:656    產品價格↟·:面議    廠商性質↟·:生產廠家    更新日期↟·:2021-11-15

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