VTC-5RF是一款5靶頭的等離子射頻磁控濺射儀↟₪╃▩，針對於高通量MGI（材料基因組計劃）薄膜的研究◕◕✘│。特別適合用於探索固態電解質材料↟₪╃▩，透過5種元素↟₪╃▩，按16種不同配比組合◕◕✘│。
技術引數
概念
 | - 5個濺射頭安裝5種不同材料
- 透過不同的濺射時間↟₪╃▩，5種材料可以濺射出不同組分的產物↟₪╃▩，
- 選擇5個等離子射頻電源↟₪╃▩，可在同一時間濺射5種材料
- 真空腔體中安裝有旋轉樣品臺↟₪╃▩，可以製作16個樣品
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電源 | 單相220 VAC, 50 / 60 Hz |
射頻電源
 | - 一個13.5MHz,300W自動匹配的射頻電源安裝在儀器上↟₪╃▩，並與靶頭相連線
- 一個旋轉開關可一次啟用一個濺射頭◕◕✘│。濺射頭可以在真空或等離子體環境中自動切換
- 可選購多個射頻電源↟₪╃▩，同一時間濺射多個靶材◕◕✘│。
- 所有的濺射引數↟₪╃▩，都可由電腦設定
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直流電源（可選）
 | - 可選購直流電源↟₪╃▩，來濺射金屬靶材
- 可配置5個直流或射頻電源↟₪╃▩，來同時濺射5中靶材
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磁控濺射頭 | - 5個1英寸的磁控濺射頭↟₪╃▩，帶有水冷夾層
- 可在本公司額外購買射頻線
- 電動擋板安裝在濺射腔體內
- 裝置中配有一迴圈水冷機↟₪╃▩，水流量為10L/min
 (1)  (2) (3) (4)
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濺射靶材
 | - 所要求靶材尺寸▩▩₪◕☁：直徑為25.4mm,zui大厚度3mm
- 濺射距離: 50 – 80 mm（可調）
- 濺射角度: 0 – 25°（可調）
- 配有銅靶和 Al2O3 靶↟₪╃▩，用於樣品測試用
- 可在本公司購買各種靶材
- 實驗時↟₪╃▩，需要將靶材和銅片粘合↟₪╃▩，可透過導電銀漿粘合（可在本公司購買導電銀漿）
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真空腔體
 | - 真空腔體採用304不鏽鋼製作
- 腔體內部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)
- 鉸鏈式腔門↟₪╃▩，直徑為Φ380mm,上面安裝有Φ150mm的玻璃視窗
- 真空度: 4E-5 torr （採用分子泵）
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樣品臺
 | - 直徑為150mm的樣品臺↟₪╃▩，上面覆蓋一旋轉臺↟₪╃▩，帶有10mm的孔洞↟₪╃▩，每次露出一個樣品接收濺射成膜◕◕✘│。
- 樣品臺尺寸▩▩₪◕☁：Φ150mm,可透過程式控制來旋轉↟₪╃▩，可製作16種不同組分的薄膜
- 樣品臺可以加熱↟₪╃▩，zui高溫度可達600℃
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真空泵
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石英振盪測厚儀（可選）
 | 可選購精密石英振盪測厚儀↟₪╃▩，安裝在真空腔體內↟₪╃▩，實時測量薄膜的厚度↟₪╃▩，精確度為0.1 Å（需水冷） |
淨重 | 60kg |
質量認證 | CE認證 |
質保 | 一年質保期↟₪╃▩，終生維護 |
應用注意事項 | - 此款裝置設定主要是在單晶基片上製作氧化物薄膜↟₪╃▩，所以不需要高真空的環境
- 所用氣瓶上必須安裝減壓閥（可在本公司購買）↟₪╃▩，所用Ar氣純度為5N
- 為了得到較好質量的薄膜↟₪╃▩，可以對基片進行清洗
- 用超聲波清洗機↟₪╃▩，用丙酮或乙醇作為清洗介質↟₪╃▩，清除基片表面的油脂↟₪╃▩，然後在N2氣或真空環境下對基片乾燥
- 等離子清洗機↟₪╃▩，可使基片表面粗糙化↟₪╃▩，改變基片表面化學活性↟₪╃▩，清除表面汙染物
- 可在基片表面鍍上緩衝層↟₪╃▩，如Cr, Ti, Mo, Ta,↟₪╃▩，可改善金屬或合金膜的粘附性
- 濺射一些非導電靶材↟₪╃▩，其靶材背後必須附上銅墊片
- 本公司實驗室成功地在Al2O3基片上成功生長出ZnO外延膜
- 因為濺射頭連線著高電壓↟₪╃▩，所以使用者在放入樣品或更換靶材時↟₪╃▩，必須切斷電源
- 不可用自來水作為冷卻水↟₪╃▩，以防水垢堵塞水管◕◕✘│。應該用等離子水↟₪╃▩，或冷卻介質
 
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