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  • OTF-1200X-50-II-PE-M帶有預熱系統的滑動PECVD-- OTF-1200X-50-II-PE-MSL

    OTF-1200X-50-II-4CV-PE-MSL是一款雙溫區的PE-CVD管式爐系統◕✘·▩₪,組成部分為500W的射頻發生器▩•▩✘•、滑動速度可控的雙溫區滑軌爐◕✘·▩₪,預熱爐(作用為使固體原料蒸發)和德國進口的無油泵↟◕·。此款PE-CVD對於生長奈米線或用CVD,方法來製作各種薄膜是一款新的探索工具↟◕·。

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  • 1700°C二通道混氣高真空CVD系統-GSL-1700X-4-HVC

    GSL-1700X-4-HVC是一款CE認證的二通道高真空CVD系統◕✘·▩₪,其爐管直徑為4英寸◕✘·▩₪,它是由二路質子混氣系統和高真空機組組成◕✘·▩₪,其Z高工作溫度可達1600℃◕✘·▩₪,極限真空度可達 to 10^-5 torr↟◕·。混氣系統可以對兩種氣體進行精確的混氣◕✘·▩₪,然後匯入到管式爐內部↟◕·。

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  • 1200°C二通道混氣高真空CVD系統-OTF-1200X-HVC

    OTF-1200X--HVC是由OTF-1200X-單溫區管式爐◕✘·▩₪,二路質子混氣系統和高真空機組組成↟◕·。其Z高工作溫度可達1200℃◕✘·▩₪,極限真空度可達 to 10^-5 torr↟◕·。混氣系統可以對兩種氣體進行精確的混氣◕✘·▩₪,然後匯入到管式爐內部↟◕·。

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  • 雙溫區開啟式真空管式爐 (管徑80mm, 1200C Max) OTF-1200X-80-II-F

    OTF-1200X-80-II-F3LV是一款透過CE認證的雙溫區管式爐CVD系統◕✘·▩₪,其管徑為80mm◕✘·▩₪,採用雙旋片機械泵◕✘·▩₪,供氣系統為三路浮子供氣系統◕✘·▩₪,可以混合1-3種氣體◕✘·▩₪,其真空度可達到 10-2 torr.

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  • 1200℃微型二通道混氣CVD系統-OTF-1200X- S50- 2F

    OTF-1200X-S50-2F迷你型CVD管式爐◕✘·▩₪,是一款透過CE認證的可開啟式管式爐◕✘·▩₪,能使樣品加熱到1200℃↟◕·。左法蘭上安裝一個數字式真空顯示計◕✘·▩₪,右法蘭上安裝有一KF-25介面◕✘·▩₪,可以與機械泵相連線(抽速為226L/m)↟◕·。同時左法蘭上安裝有φ6.35的卡套接頭◕✘·▩₪,使得爐體可與兩路混氣系統相連線↟◕·。精確的控溫系統提供30段升溫和降溫程式◕✘·▩₪,其控溫精確度為+/- 1 °C ↟◕·。

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  • 1200℃單溫區三通道混氣CVD系統-OTF-1200X-80-I-F3LV

    OTF-1200X-80-I-F3LV是一款透過CE認證的單溫區管式爐CVD系統◕✘·▩₪,其管徑為80mm◕✘·▩₪,採用機械泵◕✘·▩₪,供氣系統為三路浮子供氣系統◕✘·▩₪,其真空度可達到 10-2 torr.

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  • 1700℃單溫區三通道混氣CVD系統-GSL-1700X-F3LV

    GSL-1700X-F3LV是一款CE認證的管式爐CVD系統◕✘·▩₪,其真空泵採用雙旋片式◕✘·▩₪,混氣系統採用三路浮子供氣系統◕✘·▩₪,Z高溫度可以達到1700°C◕✘·▩₪,真空度可達到5x10-2 torr ◕✘·▩₪,可以混合1-3種氣體↟◕·。

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  • 小型PECVD管式爐系統--OTF-1200X-50-PE-S

    OTF-1200X-50-PE-S是一款小型的PE-CVD(等離子體氣相沉積)管式爐系統↟◕·。此套裝置帶有500W的等離子射頻電源◕✘·▩₪,一個爐管直徑為50mm的開啟式管式爐(帶有真空法蘭和連線管道)和一個直聯式雙旋機械泵↟◕·。因此這套裝置模型可以更新為不同的PECVD 系統↟◕·。對於有限的經費的情況下來進行材料探索◕✘·▩₪,此套系統極為理想↟◕·。

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  • 三溫區1500oC PECVD系統--OTF-1500X-80-III-4CV-PE

    OTF-1500X-80-III-4CV-PE是一款三溫區1500℃的PECVD管式爐系統◕✘·▩₪,它是由500W的射頻電源◕✘·▩₪,1500℃三溫區管式爐▩•▩✘•、多通道質子混氣系統和真空系統組成↟◕·。此款PECVD系統對於生長奈米線▩•▩✘•、石墨烯或SiC薄膜是一個新的實驗幫手↟◕·。

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  • 小型滑動PECVD管式爐系統--OTF-1200X-50S-PE-SL

    OTF-1200X-50-PE-SL是一款小型的PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) (等離子體化學氣相沉積)滑動式開啟式管式爐系統↟◕·。此套裝置帶有300W的等離子射頻電源◕✘·▩₪,一個爐管直徑為50mm的開啟式管式爐(帶有真空法蘭和連線管道)和機械泵組成↟◕·。因此這套裝置模型可以更新為不同的PECVD 系統↟◕·。對於有限的經費的情況下來進行材料探

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  • 4路質子混氣管式PECVD系統-OTF-1200X-50-4CLV-PE

    為了使化學反應能在較低的溫度下進行◕✘·▩₪,利用了等離子體的活性來促進反應◕✘·▩₪,因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)◕✘·▩₪, 內爐膛表面塗有美國進口的高溫氧化鋁塗層可以提高裝置的加熱效率◕✘·▩₪,同時也可以延長儀器的使用壽命↟◕·。

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  • OTF-1100X11Z3LV CVD

    OTF1100X11Z3LV CVD system consists of 11" diameter three zone tube furnace with mechanical vacuum pump system (up to 10-2 torr ) and 6 channel precision digital Mass flow-meters, which can control nine types of gases for CVD or diffusion

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