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小型磁控射頻濺射鍍膜儀的理想效能值得你來體驗

釋出時間╃₪↟│·:2021-10-09      點選次數╃₪↟│·:1036
  就像把石頭扔進平靜的湖水會濺出水一樣╃╃,用高速離子轟擊固體表面會使近表面的原子(或分子)從固體表面逃逸◕▩。這種現象稱為濺射現象◕▩。濺射意味著具有足夠高能量的粒子轟擊固體表面以發射原子◕▩。早期的人們認為╃╃,這種現象源於目標的區域性加熱◕▩。然而╃╃,人們發現濺射和蒸發有本質區別╃╃,人們逐漸認識到濺射是轟擊粒子與靶粒子之間動量傳遞的結果◕▩。小型磁控射頻濺射鍍膜儀磁控濺射利用磁場束縛電子的運動╃╃,提高電子的電離率◕▩。與傳統濺射相比╃╃,具有“低溫”和“高速”兩大特點◕▩。
  磁控射頻濺射鍍膜儀具有小型化₪◕、標準化的特點◕▩。磁控管靶有1英寸和2英寸兩種◕▩。客戶可根據電鍍基板的尺寸進行選擇;電源為150W直流電源╃╃,可用於金屬濺射鍍膜◕▩。鍍膜儀設有通風介面╃╃,可提供保護氣體◕▩。儀器標配先進的渦輪分子泵╃╃,極限真空可達1.0e-5pa◕▩。
  小型磁控射頻濺射鍍膜儀可用於製備單層鐵電薄膜₪◕、導電薄膜₪◕、合金薄膜等◕▩。與同類裝置相比╃╃,單靶磁控濺射鍍膜儀具有設計小型化₪◕、整合度高₪◕、體積小等優點╃╃,是實驗室製備材料薄膜的理想裝置◕▩。該裝置配備三個1英寸磁控等離子濺射頭和射頻(RF)等離子電源╃╃,該裝置主要用於製作非導電薄膜╃╃,特別是一些氧化膜◕▩。對於探索新型非導電薄膜╃╃,是廉價高效的實驗幫手◕▩。
  小型磁控射頻濺射鍍膜儀主要用於在單晶襯底上製備氧化膜╃╃,因此不需要太高的真空度◕▩。為了更好地排出真空室中的氧氣╃╃,建議用5%H2+95%N2對真空室進行清洗2-3次╃╃,可以有效降低真空室中的氧氣含量◕▩。請使用純度大於5N的AR進行等離子濺射◕▩。即使是5Nar也含有10-100ppm的氧氣和水◕▩。因此╃╃,建議將鋼瓶內的惰性氣體透過淨化系統後引入真空室◕▩。

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