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小型磁控射頻濺射鍍膜儀的理想效能值得你來體驗

釋出時間☁☁│:2021-10-09

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  就像把石頭扔進平靜的湖水會濺出水一樣│▩,用高速離子轟擊固體表面會使近表面的原子(或分子)從固體表面逃逸↟☁▩。這種現象稱為濺射現象↟☁▩。濺射意味著具有足夠高能量的粒子轟擊固體表面以發射原子↟☁▩。早期的人們認為│▩,這種現象源於目標的區域性加熱↟☁▩。然而│▩,人們發現濺射和蒸發有本質區別│▩,人們逐漸認識到濺射是轟擊粒子與靶粒子之間動量傳遞的結果↟☁▩。小型磁控射頻濺射鍍膜儀磁控濺射利用磁場束縛電子的運動│▩,提高電子的電離率↟☁▩。與傳統濺射相比│▩,具有“低溫”和“高速”兩大特點↟☁▩。
  磁控射頻濺射鍍膜儀具有小型化│╃╃·、標準化的特點↟☁▩。磁控管靶有1英寸和2英寸兩種↟☁▩。客戶可根據電鍍基板的尺寸進行選擇;電源為150W直流電源│▩,可用於金屬濺射鍍膜↟☁▩。鍍膜儀設有通風介面│▩,可提供保護氣體↟☁▩。儀器標配先進的渦輪分子泵│▩,極限真空可達1.0e-5pa↟☁▩。
  小型磁控射頻濺射鍍膜儀可用於製備單層鐵電薄膜│╃╃·、導電薄膜│╃╃·、合金薄膜等↟☁▩。與同類裝置相比│▩,單靶磁控濺射鍍膜儀具有設計小型化│╃╃·、整合度高│╃╃·、體積小等優點│▩,是實驗室製備材料薄膜的理想裝置↟☁▩。該裝置配備三個1英寸磁控等離子濺射頭和射頻(RF)等離子電源│▩,該裝置主要用於製作非導電薄膜│▩,特別是一些氧化膜↟☁▩。對於探索新型非導電薄膜│▩,是廉價高效的實驗幫手↟☁▩。
  小型磁控射頻濺射鍍膜儀主要用於在單晶襯底上製備氧化膜│▩,因此不需要太高的真空度↟☁▩。為了更好地排出真空室中的氧氣│▩,建議用5%H2+95%N2對真空室進行清洗2-3次│▩,可以有效降低真空室中的氧氣含量↟☁▩。請使用純度大於5N的AR進行等離子濺射↟☁▩。即使是5Nar也含有10-100ppm的氧氣和水↟☁▩。因此│▩,建議將鋼瓶內的惰性氣體透過淨化系統後引入真空室↟☁▩。
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