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雙靶磁控濺射儀原理及主要特點

釋出時間₪₪☁◕:2018-04-17      點選次數₪₪☁◕:1716
   雙靶磁控濺射儀可用於製備單層或多層鐵電薄膜▩₪、導電薄膜▩₪、合金薄膜▩₪、半導體薄膜▩₪、陶瓷薄膜▩₪、介質薄膜▩₪、光學薄膜▩₪、氧化物薄膜▩₪、硬質薄膜▩₪、聚四氟乙烯薄膜等╃•╃☁│。與同類裝置相比☁·╃│·,其不僅應用廣泛☁·╃│·,且具有體積小便於操作的優點,是一款實驗室製備材料薄膜的理想裝置╃•╃☁│。
  雙靶磁控濺射儀原理
  磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下☁·╃│·,在飛向基片過程中與氬原子發生碰撞☁·╃│·,使其電離產生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片☁·╃│·,Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶☁·╃│·,並以高能量轟擊靶表面☁·╃│·,使靶材發生濺射╃•╃☁│。在濺射粒子中☁·╃│·,中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜☁·╃│·,而產生的二次電子會受到電場和磁場作用☁·╃│·,產生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移☁·╃│·,簡稱E×B漂移☁·╃│·,其運動軌跡近似於一條擺線╃•╃☁│。若為環形磁場☁·╃│·,則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動☁·╃│·,它們的運動路徑不僅很長☁·╃│·,而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區域內☁·╃│·,並且在該區域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材☁·╃│·,從而實現了高的沉積速率╃•╃☁│。隨著碰撞次數的增加☁·╃│·,二次電子的能量消耗殆盡☁·╃│·,逐漸遠離靶表面☁·╃│·,並在電場E的作用下zui終沉積在基片上╃•╃☁│。由於該電子的能量很低☁·╃│·,傳遞給基片的能量很小☁·╃│·,致使基片溫升較低╃•╃☁│。
  雙靶磁控濺射儀特點:
  1▩₪、附著力要求₪₪☁◕:薄膜與玻璃片▩₪、矽片或者陶瓷基底的附著力能夠承受3次膠帶拉伸試驗☁·╃│·,薄膜沒有被破壞╃•╃☁│。
  2▩₪、樣品具有反濺射功能☁·╃│·,可對樣品進行鍍前預清洗╃•╃☁│。
  3▩₪、裝置配有陽極層離子源☁·╃│·,可對樣品進行清洗☁·╃│·,同時☁·╃│·,可在鍍膜時☁·╃│·,對樣品進行輔助沉積╃•╃☁│。
  4▩₪、工藝氣體₪₪☁◕:工作氣路2路₪₪☁◕:獨立質量流量控制器2路☁·╃│·,用於反應氣體進氣和氬氣氣路☁·╃│·,採用MKS質量流量計;具有混氣功能;腔內氣壓可測可調可控╃•╃☁│。
  5▩₪、濺射室烘烤照明₪₪☁◕:採用紅外加熱除氣方式☁·╃│·,烘烤溫度₪₪☁◕:150℃╃•╃☁│。
  6▩₪、真空室內有襯板☁·╃│·,避免濺射材料直接濺射到濺射室真空壁上╃•╃☁│。(在後面表格體現)
  7▩₪、裝置具有斷水斷電連鎖保護功能☁·╃│·,有防止誤操作保護功能╃•╃☁│。系統採用手動控制膜製備過程可控制靶擋板▩₪、樣品轉動▩₪、樣品控溫等╃•╃☁│。

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